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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFN230N20T
IXFN230N20T
IXFN230N20T
Número de pieza:
IXFN230N20T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19485 Pieces
Ficha de datos:
IXFN230N20T.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:GigaMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:7.5 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo):1090W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFN230N20T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:28000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:378nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 220A 1090W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:220A
Email:[email protected]

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