IRL2203NLPBF
IRL2203NLPBF
Número de pieza:
IRL2203NLPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17026 Pieces
Ficha de datos:
IRL2203NLPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:7 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 180W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:*IRL2203NLPBF
SP001558636
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRL2203NLPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3290pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:60nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:116A (Tc)
Email:[email protected]

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