IRF9910TR
IRF9910TR
Número de pieza:
IRF9910TR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
13788 Pieces
Ficha de datos:
IRF9910TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.55V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:13.4 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF9910TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A, 12A
Email:[email protected]

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