IRF9953
IRF9953
Número de pieza:
IRF9953
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
15085 Pieces
Ficha de datos:
IRF9953.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:250 mOhm @ 1A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:*IRF9953
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF9953
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:190pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.3A
Email:[email protected]

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