IRF7353D1TR
IRF7353D1TR
Número de pieza:
IRF7353D1TR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
19336 Pieces
Ficha de datos:
IRF7353D1TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs:32 mOhm @ 5.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF7353D1TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Descripción ampliada:N-Channel 30V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.5A (Ta)
Email:[email protected]

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