IRF6718L2TRPBF
IRF6718L2TRPBF
Número de pieza:
IRF6718L2TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15588 Pieces
Ficha de datos:
IRF6718L2TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET L6
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:0.7 mOhm @ 61A, 10V
La disipación de energía (máximo):4.3W (Ta), 83W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric L6
Otros nombres:IRF6718L2TRPBF-ND
IRF6718L2TRPBFTR
SP001523928
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF6718L2TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6500pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:96nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:61A (Ta), 270A (Tc)
Email:[email protected]

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