IRF6708S2TRPBF
IRF6708S2TRPBF
Número de pieza:
IRF6708S2TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16281 Pieces
Ficha de datos:
IRF6708S2TRPBF.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRF6708S2TRPBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRF6708S2TRPBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IRF6708S2TRPBF con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 25µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET S1
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:8.9 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 20W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric S1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF6708S2TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1010pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 13A (Tc) 2.5W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios