IRF6702M2DTR1PBF
Número de pieza:
IRF6702M2DTR1PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17483 Pieces
Ficha de datos:
IRF6702M2DTR1PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 25µA
Paquete del dispositivo:DIRECTFET™ MA
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:6.6 mOhm @ 15A, 10V
Potencia - Max:2.7W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric MA
Otros nombres:IRF6702M2DTR1P
IRF6702M2DTR1P-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF6702M2DTR1PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1380pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET™ MA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15A
Email:[email protected]

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