IPD65R600E6BTMA1
IPD65R600E6BTMA1
Número de pieza:
IPD65R600E6BTMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17780 Pieces
Ficha de datos:
IPD65R600E6BTMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 210µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 2.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):63W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD65R600E6
IPD65R600E6-ND
IPD65R600E6BTMA1TR
IPD65R600E6TR-ND
SP000800216
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPD65R600E6BTMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.3A (Tc)
Email:[email protected]

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