FQAF12P20
Número de pieza:
FQAF12P20
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12426 Pieces
Ficha de datos:
FQAF12P20.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3PF
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:470 mOhm @ 4.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):70W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SC-94
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FQAF12P20
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 200V 8.6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3PF
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.6A (Tc)
Email:[email protected]

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