FQAF12N60
Número de pieza:
FQAF12N60
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13149 Pieces
Ficha de datos:
FQAF12N60.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3PF
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:700 mOhm @ 3.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):100W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SC-94
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FQAF12N60
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 7.8A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-3PF
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.8A (Tc)
Email:[email protected]

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