FDS6930B
FDS6930B
Número de pieza:
FDS6930B
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16941 Pieces
Ficha de datos:
FDS6930B.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:38 mOhm @ 5.5A, 10V
Potencia - Max:900mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:FDS6930BTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDS6930B
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:412pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.8nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A
Email:[email protected]

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