FDS6912
FDS6912
Número de pieza:
FDS6912
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19609 Pieces
Ficha de datos:
FDS6912.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:28 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max:900mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:FDS6912-ND
FDS6912TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDS6912
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:740pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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