EM6M1T2R
EM6M1T2R
Número de pieza:
EM6M1T2R
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19588 Pieces
Ficha de datos:
EM6M1T2R.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Paquete del dispositivo:EMT6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:8 Ohm @ 10mA, 4V
Potencia - Max:150mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:EM6M1T2RTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:EM6M1T2R
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.9nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V, 20V
Descripción:MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100mA, 200mA
Email:[email protected]

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