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ECH8619-TL-E
- Número de pieza:
- ECH8619-TL-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18270 Pieces
- Ficha de datos:
- ECH8619-TL-E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para ECH8619-TL-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para ECH8619-TL-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-ECH |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 93 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Potencia - Max: | 1.5W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres: | 869-1156-2 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | ECH8619-TL-E |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 560pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 12.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2A |
| Email: | [email protected] |
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