ECH8656-TL-H
ECH8656-TL-H
Número de pieza:
ECH8656-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19708 Pieces
Ficha de datos:
ECH8656-TL-H.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.3V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-ECH
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:17 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.3W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:ECH8656-TL-H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.8nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 7.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-ECH
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.5A (Ta)
Email:[email protected]

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