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DMHC6070LSD-13
- Número de pieza:
- DMHC6070LSD-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16976 Pieces
- Ficha de datos:
- DMHC6070LSD-13.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DMHC6070LSD-13, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DMHC6070LSD-13 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 100 mOhm @ 1A, 10V |
| Potencia - Max: | 1.6W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | DMHC6070LSD-13DITR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMHC6070LSD-13 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 731pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 3.1A, 2.4A 1.6W Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.1A, 2.4A |
| Email: | [email protected] |
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