CUS10S30,H3F
CUS10S30,H3F
Número de pieza:
CUS10S30,H3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16882 Pieces
Ficha de datos:
CUS10S30,H3F.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:230mV @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):30V
Paquete del dispositivo:USC
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-76, SOD-323
Otros nombres:CUS10S30,H3F(B
CUS10S30,H3F(T
CUS10S30H3FTR
Temperatura de funcionamiento - Junction:125°C (Max)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:CUS10S30,H3F
Descripción ampliada:Diode Schottky 30V 1A Surface Mount USC
Tipo de diodo:Schottky
Descripción:DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Corriente - Fuga inversa a Vr:500µA @ 30V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Capacitancia Vr, F:135pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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