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CSD19538Q2
- Número de pieza:
- CSD19538Q2
- Fabricante:
- Descripción:
- MOSFET NCH 100V 14.4A SON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19200 Pieces
- Ficha de datos:
- CSD19538Q2.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CSD19538Q2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CSD19538Q2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.8V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-WSON (2x2) |
| Serie: | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 59 mOhm @ 5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CSD19538Q2 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 454pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 5.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 14.4A (Ta) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET NCH 100V 14.4A SON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 14.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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