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CSD19536KTTT
- Número de pieza:
- CSD19536KTTT
- Fabricante:
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 200A TO263
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15838 Pieces
- Ficha de datos:
- CSD19536KTTT.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CSD19536KTTT, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CSD19536KTTT por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie: | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 375W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Otros nombres: | 296-41136-2 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 2 (1 Year) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CSD19536KTTT |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 12000pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 153nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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