C4D08120E
Número de pieza:
C4D08120E
Fabricante:
Cree
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13335 Pieces
Ficha de datos:
C4D08120E.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:3V @ 2A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1200V (1.2kV)
Paquete del dispositivo:TO-252-2
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:Z-Rec®
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:C4D08120E
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 8A (DC) Surface Mount TO-252-2
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2
Corriente - Fuga inversa a Vr:250µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io):8A (DC)
Capacitancia Vr, F:560pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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