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C4D08120E
- Número de pieza:
- C4D08120E
- Fabricante:
- Cree
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13335 Pieces
- Ficha de datos:
- C4D08120E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para C4D08120E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para C4D08120E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 3V @ 2A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-252-2 |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | Z-Rec® |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | C4D08120E |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 8A (DC) Surface Mount TO-252-2 |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 250µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 8A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 560pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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