BUK9E1R8-40E,127
BUK9E1R8-40E,127
Número de pieza:
BUK9E1R8-40E,127
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12694 Pieces
Ficha de datos:
BUK9E1R8-40E,127.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.1V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.7 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):349W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:934066586127
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BUK9E1R8-40E,127
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:16400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:120nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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