FDD6N25TM
FDD6N25TM
Número de pieza:
FDD6N25TM
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17972 Pieces
Ficha de datos:
FDD6N25TM.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:UniFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.1 Ohm @ 2.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):50W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FDD6N25TMTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDD6N25TM
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 250V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.4A (Tc)
Email:[email protected]

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