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BUK6E3R2-55C,127
- Número de pieza:
- BUK6E3R2-55C,127
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 13535 Pieces
- Ficha de datos:
- BUK6E3R2-55C,127.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BUK6E3R2-55C,127, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BUK6E3R2-55C,127 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.8V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I2PAK |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 306W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres: | 1727-5888 568-7505-5 568-7505-5-ND 934064473127 BUK6E3R2-55C,127-ND BUK6E3R255C127 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BUK6E3R2-55C,127 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 15300pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 258nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 55V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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