BSS670S2L H6327
Número de pieza:
BSS670S2L H6327
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15892 Pieces
Ficha de datos:
BSS670S2L H6327.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 2.7µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-SOT23-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:650 mOhm @ 270mA, 10V
La disipación de energía (máximo):360mW (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:BSS670S2L H6327DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSS670S2L H6327
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:75pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:540mA (Ta)
Email:[email protected]

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