BSC047N08NS3GATMA1
BSC047N08NS3GATMA1
Número de pieza:
BSC047N08NS3GATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19086 Pieces
Ficha de datos:
BSC047N08NS3GATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 90µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:4.7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 125W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC047N08NS3 G
BSC047N08NS3 G-ND
BSC047N08NS3 GTR-ND
BSC047N08NS3G
SP000436372
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSC047N08NS3GATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4800pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:69nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 18A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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