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BSC046N02KS G
- Número de pieza:
- BSC046N02KS G
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18673 Pieces
- Ficha de datos:
- BSC046N02KS G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSC046N02KS G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSC046N02KS G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.2V @ 110µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSC046N02KS G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4100pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 27.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Ta), 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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