APTMC60TLM14CAG
Número de pieza:
APTMC60TLM14CAG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15014 Pieces
Ficha de datos:
APTMC60TLM14CAG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 30mA (Typ)
Paquete del dispositivo:SP6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:12 mOhm @ 150A, 20V
Potencia - Max:925W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP6
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTMC60TLM14CAG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8400pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:483nC @ 20V
Tipo FET:4 N-Channel (Three Level Inverter)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 219A 925W Chassis Mount SP6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:219A
Email:[email protected]

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