APTMC120AM08CD3AG
APTMC120AM08CD3AG
Número de pieza:
APTMC120AM08CD3AG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13642 Pieces
Ficha de datos:
APTMC120AM08CD3AG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 10mA (Typ)
Paquete del dispositivo:D3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 200A, 20V
Potencia - Max:1100W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:D-3 Module
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTMC120AM08CD3AG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9500pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:490nC @ 20V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A 1100W Chassis Mount D3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:250A
Email:[email protected]

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