APTM20DHM08G
Número de pieza:
APTM20DHM08G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14550 Pieces
Ficha de datos:
1.APTM20DHM08G.pdf2.APTM20DHM08G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 5mA
Paquete del dispositivo:SP6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 104A, 10V
Potencia - Max:781W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP6
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTM20DHM08G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:280nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 208A 781W Chassis Mount SP6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:208A
Email:[email protected]

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