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APTM20UM09SG
- Número de pieza:
- APTM20UM09SG
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 195A J3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12450 Pieces
- Ficha de datos:
- APTM20UM09SG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APTM20UM09SG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APTM20UM09SG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | Module |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 9 mOhm @ 74.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 780W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | J3 Module |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | APTM20UM09SG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 12300pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 217nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 195A 780W (Tc) Chassis Mount Module |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 195A J3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 195A |
| Email: | [email protected] |
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