APTM20DAM05G
APTM20DAM05G
Número de pieza:
APTM20DAM05G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18703 Pieces
Ficha de datos:
1.APTM20DAM05G.pdf2.APTM20DAM05G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 10mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SP6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:6 mOhm @ 158.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):1136W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP6
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTM20DAM05G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:27400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:448nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 317A 1136W (Tc) Chassis Mount SP6
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:317A
Email:[email protected]

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