APTM100A23SCTG
Número de pieza:
APTM100A23SCTG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15321 Pieces
Ficha de datos:
1.APTM100A23SCTG.pdf2.APTM100A23SCTG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 5mA
Paquete del dispositivo:SP4
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:270 mOhm @ 18A, 10V
Potencia - Max:694W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP4
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APTM100A23SCTG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:308nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Silicon Carbide (SiC)
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:36A
Email:[email protected]

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