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APTM100DA33T1G
- Número de pieza:
- APTM100DA33T1G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19294 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.APTM100DA33T1G.pdf2.APTM100DA33T1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APTM100DA33T1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APTM100DA33T1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SP1 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 396 mOhm @ 18A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 390W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SP1 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | APTM100DA33T1G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7868pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 305nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 1000V (1kV) 23A 390W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1000V (1kV) |
| Descripción: | MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 23A |
| Email: | [email protected] |
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