2SC6017-E
2SC6017-E
Número de pieza:
2SC6017-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN 50V 10A TP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16602 Pieces
Ficha de datos:
2SC6017-E.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2SC6017-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2SC6017-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar 2SC6017-E con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:360mV @ 250mA, 5A
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:TP
Serie:-
Potencia - Max:950mW
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:2SC6017-E-ND
2SC6017-EOS
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:2 Weeks
Número de pieza del fabricante:2SC6017-E
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 10A 200MHz 950mW Through Hole TP
Descripción:TRANS NPN 50V 10A TP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 1A, 2V
Corriente - corte del colector (Max):10µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):10A
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios