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1N8035-GA
- Número de pieza:
- 1N8035-GA
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16826 Pieces
- Ficha de datos:
- 1N8035-GA.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1N8035-GA, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1N8035-GA por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.5V @ 15A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
| Paquete del dispositivo: | TO-276 |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-276AA |
| Otros nombres: | 1242-1122 1N8035GA |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 250°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 1N8035-GA |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 14.6A (DC) Surface Mount TO-276 |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 650V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 14.6A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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