1N8032-GA
1N8032-GA
Número de pieza:
1N8032-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
19809 Pieces
Ficha de datos:
1N8032-GA.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.3V @ 2.5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):650V
Paquete del dispositivo:TO-257
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-257-3
Otros nombres:1242-1119
1N8032GA
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 250°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:1N8032-GA
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 2.5A Through Hole TO-257
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción:DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io):2.5A
Capacitancia Vr, F:274pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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