ZXMP6A17N8TC
ZXMP6A17N8TC
Número de pieza:
ZXMP6A17N8TC
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19957 Pieces
Ficha de datos:
ZXMP6A17N8TC.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:125 mOhm @ 2.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.56W (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:ZXMP6A17N8TCDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:ZXMP6A17N8TC
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:637pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17.7nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 2.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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