ZXMP10A18GTA
ZXMP10A18GTA
Número de pieza:
ZXMP10A18GTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17135 Pieces
Ficha de datos:
ZXMP10A18GTA.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:150 mOhm @ 2.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:ZXMP10A18GTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:ZXMP10A18GTA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1055pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26.9nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 100V 2.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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