ZXMHC6A07N8TC
ZXMHC6A07N8TC
Número de pieza:
ZXMHC6A07N8TC
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14027 Pieces
Ficha de datos:
ZXMHC6A07N8TC.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:250 mOhm @ 1.8A, 10V
Potencia - Max:870mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:ZXMHC6A07N8DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:ZXMHC6A07N8TC
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:166pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.2nC @ 10V
Tipo FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.39A, 1.28A
Email:[email protected]

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