ZXM62P03GTA
ZXM62P03GTA
Número de pieza:
ZXM62P03GTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12381 Pieces
Ficha de datos:
ZXM62P03GTA.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:150 mOhm @ 1.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:ZXM62P03GTA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.2nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 2.9A (Ta), 4A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A (Ta), 4A (Tc)
Email:[email protected]

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