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Casa > Productos > Power Management IC > IC de gestión de energía - Controladores de puerta > TPS2813DR
TPS2813DR
Número de pieza:
TPS2813DR
Fabricante:
Descripción:
IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16951 Pieces
Ficha de datos:
TPS2813DR.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPS2813DR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPS2813DR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
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Especificaciones

Suministro de voltaje:4 V ~ 14 V
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
Tiempo de subida / bajada (típico):14ns, 15ns
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:296-1356-1
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C (TA)
estilo de la llave:2
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TPS2813DR
Tensión lógica - VIL, VIH:1V, 4V
Tipo de entrada:Inverting, Non-Inverting
Tipo de Puerta:N-Channel, P-Channel MOSFET
Descripción ampliada:Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
Configuración impulsada:Low-Side
Descripción:IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero):2A, 2A
Corriente de carga:Synchronous
Email:[email protected]

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