Comprar TP2535N3-G con BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @Id: | 2.4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 25 Ohm @ 100mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 740mW (Ta) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 5 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TP2535N3-G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 125pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 350V 86mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 350V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 86mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |