Comprar TP0606N3-G con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.4V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.5 Ohm @ 750mA, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 1W (Tc) |
embalaje: | Bulk |
Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 5 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | TP0606N3-G |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 60V 320mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
Descripción: | MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 320mA (Tj) |
Email: | [email protected] |