Comprar STW20NM65N con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-247-3 |
Serie: | MDmesh™ II |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 160W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | STW20NM65N |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 50V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 650V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
Descripción: | MOSFET N-CH 650V 19A TO-247 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |