Comprar STTH810G con BYCHPS
Compre con garantía
STTH810G
- Número de pieza:
- STTH810G
- Fabricante:
- ST
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13761 Pieces
- Ficha de datos:
- STTH810G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STTH810G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STTH810G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 2V @ 8A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1000V (1kV) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 85ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 175°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | STTH810G |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D2PAK |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 1000V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 8A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de STTH810G
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH812FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220FP | Investigación |
 |
STTH803G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK | Investigación |
 |
STTH812G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | Investigación |
 |
STTH812D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC | Investigación |
 |
STTH810DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB | Investigación |
|
STTH812G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | Investigación |
|
STTH810G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Investigación |
|
STTH810FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP | Investigación |
|
STTH810GY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Investigación |
 |
STTH812DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS | Investigación |
|
STTH810D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC | Investigación |
|
STTH806G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog