STT3P2UH7
Número de pieza:
STT3P2UH7
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16545 Pieces
Ficha de datos:
STT3P2UH7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23-6
Serie:STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6
Otros nombres:497-15156-2
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:STT3P2UH7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.8nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 3A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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