STS11N3LLH5
STS11N3LLH5
Número de pieza:
STS11N3LLH5
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16208 Pieces
Ficha de datos:
STS11N3LLH5.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:STripFET™ V
RDS (Max) @Id, Vgs:14 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.7W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:497-10310-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STS11N3LLH5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:724pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 11A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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