STS10P3LLH6
STS10P3LLH6
Número de pieza:
STS10P3LLH6
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12691 Pieces
Ficha de datos:
STS10P3LLH6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:STripFET™ H6
RDS (Max) @Id, Vgs:12 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.7W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:497-15482-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:STS10P3LLH6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 10A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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